|
بررسی ارتباط کاواک با طیف خروجی در لیزر نیمه‌هادی GaAS
بررسی ارتباط کاواک با طیف خروجی در لیزر نیمه‌هادی GaAS در اسلاید قابل ویرایش
|
|
| دسته بندی | فنی و مهندسی |
| فرمت فایل | ppt |
| حجم فایل | 273 کیلو بایت |
| تعداد صفحات فایل | 18 |
بررسی ارتباط کاواک با طیف خروجی در لیزر نیمه‌هادی GaAS
نور لیزر
تعریف: نور تقویت شده به وسیله گسیل القایی
Light Amplitude Stimulated Emission of Radiation
LASER
مشخصات نور لیزر:
1.تکفامی 2.درخشایی 3.همدوسی 4.جهتمندی
اصل تعادل گرمایی:بنابر قانون بولتزمان اتمها ابتدا ترازهای پایین را اشغال و سپس تراز بالا را اشغال میکنند.
برهمکنش امواج الکترومغناطیسی با اتم
.1گسیل القایی .2گسیل خود بخودی .3جذب
شرط اساسی ایجاد نور لیزر
ایجاد وارونی انبوهی(inverse population):
روش های ایجاد وارونی انبوهی:
.1دمش اپتیکی .2دمش الکتریکی
هدف از دمش این است که فرآیند گسیل القایی بر فرآیند جذب غلبه کند یعنی: بهره > اتلاف
انواع باز ترکیب و گاف نوار انرژی
.1باز ترکیب تابشی: نتیجه آن تولید فوتون است.
.2باز ترکیب غیر تابشی: نتیجه آن اتلاف انرژی بصورت گرما(فونون) است.
● Øگاف مستقیم GaAs در این مواد تولید فوتون داریم. Øگاف غیر مستقیم Ge,Si در این مواد تولید فونون داریم.
ساختارتخت بلند(FP )
Øدر ساختار تخت یکنواخت به دلیل یکنواختی محیط اطراف لایه فعال اصل بازتاب کلی برای فوتون تولید شده اتفاق نمی افتد؛ بنابراین چگالی جریان آستانه بالایی دارند. Øدر ساختار چندگانه اصل بازتاب کلی برای فوتون تولید شده رخ میدهد.(به دلیل وجود لایه های مختلف ضرایب شکست متفاوت است.)
